我们报告了通过二维半导体WS 2的范德华异质结构的能量转移机理和具有不同层间距离的石墨烯,这是通过六角硼硝化硼(HBN)的间隔层实现的。我们在0.5 nm至5.8 nm(0-16 HBN层)之间记录了层间距离处的光致发光和反射光谱。我们发现能量转移由光锥外部的状态支配,这表明了f的转移过程,并在0.5 nm的层间距离下右手过程的额外贡献。我们发现,可以使用最近报道的热载荷载载流子的f ister传递速率进行定量描述发光强度对层间距离的测量依赖性。在较小的层间距离处,实验观察到的转移速率超过了预测,此外,取决于过量的能量以及激发密度。由于f”机制的转移概率取决于电子孔对的动量,因此我们得出结论,在这些距离上,转移是由非省力的荷载载流子分布驱动的。
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